نوشته شده توسط : admin

دانشگاه آزاد اسلامی

واحد تهران جنوب

دانشکده تحصیلات تکمیلی

“M.Sc” پایان نامه برای دریافت درجه کارشناسی ارشد

مهندسی برق – مخابرات

عنوان:

تحلیل و شبیه سازی کاربرد ساختارهای EBG و Metamaterial superstrate در افزایش گین و دایرکتیویته آنتن های میکرواستریپ

برای رعایت حریم خصوصی اسامی استاد راهنما،استاد مشاور و نگارنده درج نمی شود

تکه هایی از متن به عنوان نمونه :

(ممکن است هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است)

چکیده:

آنتن های میکرواستریپ کاربرد های زیادی در صنعت، تجهیزات مخابراتی و نظامی دارند که به دلیل سادگی تحلیل و ساخت و خصوصیات تشعشعی جالبشان است. با این وجود این آنتنها بهره و پهنای باند پایینی دارند که به دلیل وجود موج سطحی و تشعشع منبع در جهات مختلف است. یک راه حل جدید استفاده از ساختارهای متناوب Electromagnetic band gap یا به اختصار EBG است. در این رساله دو کاربرد این ساختارهای متناوب مورد بررسی قرار گرفته است. در کاربرد اول ساختار های
متناوب بر روی زیرلایه آنتن قرار می گیرند که با ایجاد یک باند شکاف در یک محدوده فرکانسی معین از انتشار موج سطحی جلوگیری می نمایند. در کاربرد دوم، ساختار های متناوب EBG در یک فاصله معین بالای منبع تشعشع آنتن که پچ است قرار گرفته و با ایجاد پدیده فوق شکست، تشعشع در جهات مختلف را در جهت عمود به ساختار های EBG متمرکز می نماید.

مقدمه:

مواد Electromagnetic bandgap، ساختارهای متناوب هستند که از دی الکتریک ها، مواد فلزی یا ترکیبی از مواد فلزی و دی الکتریکی، تشکیل شده اند. این ساختار ها می توانند از انتشارموج در جهات و فرکانس های ویژه جلوگیری نمایند، بنابراین آنها می توانند به عنوان فیلترهای فرکانسی و جهتی در نظر گرفته شوند. پیکربندی های گوناگونی از ساختارهای EBG وجود دارند که می توانند در آنتن های میکرواستریپ مورد استفاده قرار گیرند. این پیکربندی ها به سه طبقه تقسیم می شوند:

– سطوح امپدانس بالا مانند ساختار های EBG دو بعدی که می توانند به عنوان زیر لایه آنتن های میکرواستریپ به منظور حذف موج سطحی استفاده شوند.

– سطوح مصنوعی مانند هادی های مغناطیسی مصنوعی و سطوح غیرفعال برای طراحی آنتن های low profile.

– آنتن ها با دایرکتیوته بالا که بر اساس ایجاد باند گذر و ضریب شکست صفر در ساختارهای EBG طراحی می شود. در این حالت ساختار EBG به عنوان یک فلیتر فرکانسی و جهتی معین با ضریب کیفیت بالا عمل کرده و امواج الکترومغناطیسی را عبور می دهد.

برای برخی منابع تشعشعی مانند آنتن های پچ میکرواستریپ ساختارهای EBG می توانند به صورت فوق لایه پیکربندی شوند هدف اصلی از این پیکربندی افزایش بهره و دایرکتیویته آنتن های میکرواستریپ می باشد. آنتن های دایرکتیو فشرده با یک نقطه تغذیه، جذابیت بالایی در عمل دارند. با این وجود پترن های تشعشعی آنها توسط موج سطحی تحت تاثیر قرار گرفته و گین پایینی دارند. از سوی دیگر آنتن های آرایه ای بهره و دایرکتیویته بالایی دارند اما دارای مکانیسم تغذیه پیچیده و بازده تشعشع محدود به کاربرشان می باشند. بنابراین آنتن با بهره و دایرکتیویته بالا با ساختارهای فشرده و مکانیسم تغذیه ساده در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. برای رسیدن به این منظور از ساختار های EBG استفاده شده است.

فصل اول

کلیات

1-1) هدف

آنتن های میکرواستریپ مزیت زیادی از جمله low profile، تطبیق پذیری با سطوح صفحه ای و غیرصفحه ای، سادگی وارزانی ساخت با استفاده از تکنولوژی مدار چاپی مدرن، استحکام مکانیکی و تطبیق پذیری زیادی بر حسب فرکانس های رزونانس، پلاریزاسیون، پترن و امپدانس دارند. عیب های اصلی آنتن های میکرواستریپ بهره پایین، پهنای باند فرکانسی باریک به دلیل پراکندگی تشعشع از پچ آنتن میکرواستریپ و وجود امواج سطحی است.

هدف از این پایان نامه افزایش بهره و دایرکتیویته آنتن میکرواستریپ با تغذیه ساده مانند خط کواکسیال می باشد. برای نیل به این هدف، از ساختارهای Electromagnetic bandgap استفاده شده است.

برای دانلود متن کامل پایان نامه اینجا کلیک کنید.





لینک بالا اشتباه است

برای دانلود متن کامل اینجا کلیک کنید

       
:: بازدید از این مطلب : 431
|
امتیاز مطلب : 0
|
تعداد امتیازدهندگان : 0
|
مجموع امتیاز : 0
تاریخ انتشار : یک شنبه 3 مرداد 1395 | نظرات ()
مطالب مرتبط با این پست
لیست
می توانید دیدگاه خود را بنویسید


نام
آدرس ایمیل
وب سایت/بلاگ
:) :( ;) :D
;)) :X :? :P
:* =(( :O };-
:B /:) =DD :S
-) :-(( :-| :-))
نظر خصوصی

 کد را وارد نمایید:

آپلود عکس دلخواه: